佰維存儲TGE408 eMMC采用自主研發的主控芯片、內置自研固件算法與本土NAND Flash顆粒，從芯片設計到流片制造實現全流程本土化，采用FBGA 153 Ball封裝設計，遵循eMMC 5.1協議并支持HS400高速模式，可在-40℃~85℃寬溫域內穩定工作，搭配獨家Win-pSLC超穩耐久架構，兼顧卓越性能、超高可靠性與超長耐久度，為電力能源、工業自動化等對穩定性要求嚴苛的領域，提供安全高效的數據存儲解決方案。

【自研主控+本土顆粒：全棧本土化，筑牢工業數據安全防線】

• 全工業級元器件選型與架構設計，嚴選本土工業級NAND顆粒，搭載佰維自研主控芯片，自主封測制造，供應穩定持久，極速響應客戶需求。
• 容量覆蓋8-16GB（pSLC模式）與64-128GB（TLC模式），可滿足不同工業場景的存儲容量需求。
• 順序讀取/寫入速度達330MB/s、220MB/s，保障工業設備數據的高速傳輸與實時處理；
• 應用領域：工業自動化、電力能源、工業機器人、智慧安防、軌道交通、AIoT、智慧醫療 等。

【-40℃~85℃寬溫設計：無懼極端環境，穩定高效運行】

采用-40~85℃寬溫設計，無論是極寒的戶外作業、高溫的工業車間，還是伴隨震動的軌道交通、電力巡檢場景，均能保持穩定的運行狀態。

佰維自研固件高低溫增強策略，進一步優化設備在極端溫度下的性能表現，避免因溫度波動導致的數據丟失或設備宕機。

【獨家Win-pSLC技術：性能與耐久度雙優，依場景靈活定制】

TGE408 eMMC 搭載佰維獨家 Win-pSLC 固件技術，通過將TLC閃存模擬為SLC模式，大幅提升讀寫速度與響應效率，讓工業設備在高負荷、頻繁讀寫的場景下，仍能保持高效的數據處理能力。同時，該技術有效延長了存儲介質的使用壽命與可靠性，避免頻繁更換存儲設備帶來的成本與效率損耗。

TLC模式支持3K次P/E循環，pSLC模式更可達100K次P/E循環，平均無故障時間（MTBF）超300萬小時，超越工業級存儲基準。

內置的自研固件算法，不僅支持壞塊管理、磨損均衡、LDPC糾錯等基礎功能，更通過掉電保護算法，確保設備在突發斷電時數據不丟失，保障作業流程的連續性。

此外，自研主控與自研算法支持多層次定制，可根據客戶的特殊場景需求，優化產品性能與功能，實現存儲方案與整體系統的深度協同，最大化提升集成價值與場景適配性。